主要職責:
1、編寫詳細的芯片架構規(guī)范,設計方法開發(fā)和優(yōu)化;;
2、與芯片設計、核查和驗證團隊合作,指導成功的產品實施;
3、使用行業(yè)標準工具進行晶體管級設計、模擬和布局;
4、開發(fā)自動化布局和驗證流程。
工作要求:
1、碩士及以上學歷,計算機科學、電氣與電子工程、材料科學等相關專業(yè);
2、至少2年非易失性內存芯片設計(FeRAM, MRAM, PCM, ReRAM 或 Flash )的經驗,嵌入式和/或獨立內存芯片;
3、RTL 設計(Verilog 或 VHDL)經驗,以及使用模擬器和調試工具的經驗;
4、具有邏輯綜合、可測試設計 (DFT) 插入和前段驗證方面的經驗;
5、具有物理綜合和物理版圖驗證方面的經驗;
6、具有先進 FinFET 節(jié)點中的低功耗存儲芯片設計經驗;
7、了解主流存儲芯片的結構和問題,了解可測試設計 (DFT)、良率和可制造性設計 (DFM) 問題。
工作地點:江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路385號